Характеристики

Общий объем
4 Гб
Состояние
Б/у

Описание

Samsung 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
Hynix (2 шт) 4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В
За одну 20 рублей.


О продавце

На Куфаре с августа, 2015

Похожие объявления

KM_LOGO
Куфар Маркет рекомендует

info-element
До оплаты проверьте товар на дефектыЗабирайте покупки при личной встрече или заказывайте Куфар Доставку с осмотром товара.
responsibility
Kufar не несет ответственности за предлагаемый товар.
20 р.

Оперативная память 4gb 12800S

Брестская, Пинск

Все объявления:

2

На Куфаре с августа, 2015