Имя модуля Silicon Power SP004GBLFU213N02
Серийный номер Нет
Дата выпуска Неделя 27 / 2017
Размер модуля 4 ГБ (1 rank, 16 banks)
Тип модуля Unbuffered DIMM
Тип памяти DDR4 SDRAM
Скорость памяти DDR4-2133 (1066 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Напряжение модуля 1.2 V
Метод обнаружения ошибок Нет
Производитель DRAM SK hynix
SDRAM Die Count 1

Тайминги памяти
@ 1066 МГц 16-15-15-36 (CL-RCD-RP-RAS) / 50-278-171-118-6-4-6-23 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)
@ 1066 МГц 15-15-15-36 (CL-RCD-RP-RAS) / 50-278-171-118-6-4-6-23 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)
@ 1037 МГц 14-14-14-35 (CL-RCD-RP-RAS) / 49-270-166-115-6-4-6-22 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)
@ 962 МГц 13-13-13-32 (CL-RCD-RP-RAS) / 45-251-155-106-6-4-6-21 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)
@ 888 МГц 12-12-12-30 (CL-RCD-RP-RAS) / 42-232-143-98-5-4-6-19 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)
@ 814 МГц 11-11-11-27 (CL-RCD-RP-RAS) / 38-212-131-90-5-4-5-18 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)
@ 666 МГц 9-9-9-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 31-174-107-74-4-3-4-14 (RC-RFC1-RFC2-RFC4-RRDL-RRDS-CCDL-FAW)

Функции модуля памяти
Monolithic DRAM Device Да
Thermal Sensor Нет