Описание
DDR3 hynix 1 GB, бу
Тип памяти - DDR3
Форм-фактор - DIMM 240-контактный
Тактовая частота - 1333 МГц
Пропускная способность - 10600 МБ/с
Объем - 1 модуль 1 ГБ
Тайминги
CAS Latency (CL) - 9
RAS to CAS Delay (tRCD) - 10
Row Precharge Delay (tRP) - 10
Напряжение питания - 1.5 В